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RA1302SR
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RA1302SR

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RA1302SR是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和抗锁存CMOS技术使得其具备坚固的单片结构。该逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,支持至3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级,用于最小化驱动器之间的交叉导通。延迟匹配用于简化高频应用。浮动通道可用于驱动高侧N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高至600V。
  • 商品名称: RA1302SR
  • 产品描述
  • RA1302SR是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和抗锁存CMOS技术使得其具备坚固的单片结构。该逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,支持至3.3V逻辑。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级,用于最小化驱动器之间的交叉导通。延迟匹配用于简化高频应用。浮动通道可用于驱动高侧N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高至600V。

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